[alek14]
> [MarijanMacek]
> > [alek14]
> > > [hocevarb]
> > Perovskite je že v redu za izkoristke nabijat in poceni izdelat. Problem je v tem, da se cenenost izdelave skriva v metastabilnosti perovskitnih kristalov. Obratno povedano, silicij je izjemno trd in se ga težko predeluje (postopki so dolgotrajni), a zato celice preživijo 20 let in več.
>
> Glede na to, da že 38 let obdelujem monokristalni silicij od prvotnih IC do dandanjših MEMS ni njegova trdnost nikoli postavljala problem tudi ne pri tanjšanju (mehansko, kemomehansko (CMP) Si rezin, kakor tudi ne pri površinskih mikro obdelavah, recimo strukturiranju hrbtne strani Si rezine predstavljeno na sliki v članku. Pravzaprav, se večina obdelav, razen rezanja rezin in včasih potrebnega tanjšanja izgotovljenih rezin večina postopkov obdelave površine dela bodisi v kemikalijah, bodisi s plazemskim jedkanje po raznih postopkih. Obstaja pa tudi možnost obdelave z laserjem. O dolgotrajnosti pa raje ne bi razpravljal. še najbolj standardno jedkalo 35% KOH pri 80°C jedka okoli 1um/min, ali po domače povedano, 250 um rezina se pojedka v 4 urah s hrbtne strani. Če je to dolgotrajno je pa odvisno od kriterijev, za posvečene ni to nič posebnega.
>
> Sicer pa avtorjem čestitke za odmevno objavo, o uporabnosti bo pa povedal svoje čas.

Ne mi zamerit, če tukaj vobče neuki publiki malce poenostavim zadeve. Prednost silicija je njegova difuzijska stabilnost, ki je povezana z njegovim mehanskim modulom elastičnosti = trdota poenostavljeno. Nasprostno je slabost perovskite izdelkov, ki se manifestira v raznih entropičnih procesih (difuzije, permeacije, migracije in kemične spremembe pod UV). Zardi visoke vezalne energije silicija so z njim povezani procesi dolgotrajni in energetsko intenzivni (v primerjavi s prerovskite).
Iz istih razlogov so silicijevi izdelki difuzisjko stabilni 20 let in več.

Glede produktivnosti: vse kar traja več kot par sekund je produktivnostni problem.

Čuj, jaz sem fizik, ki je prešaltal v polprevodniške in mikromehanske tehnologije pa tvoje latovščine sploh ne razumem, recimo:

1) prednost silicija je difuzijska stabilnot. Vsakdo ki se je ukvarjal s polprevodniško tehnologijo ve, kako poteka difuzija nečistoč/primesi v Si in ve tudi da na proces vpliva difizija Si intercicialov. Obstaja cel kup modelov za opis pojavov....Torej o kakšni difuzijski stabilnosti torej govoriš?

2) Kako vpliva difuzijska stabilnost na elastične lastnosti veš samo ti, jaz vpliva na elastične lastnosti nisem pri nobenem izdelku MEMS zaznal, seveda v okviru uporabnih temperatur. pa ne da misliš z difuzijsko stabilnostjo visoko točko tališča 1414°C, kar je povezano z diamantno strukturo Si rešetke in ustrezno visokimi vezavnimi energijami.

3) Sem že rekel, da se s polprevodniško in mikromehansko tehnologijo ukvarjam +38 let. Pa prvič slišim da kdo naklada o nekakšni entropičnih procesih v zvezi z difuzijo, migracijami (Pojem migracij v Si sicer nisem nikoli zasledil, poznan pa je pojav elektromigracije v prevodnih povezavah, zlasti AlSixCuy, kjer pride do transporta ionov kot posledica visko gostote toka in potenciala, ampak to nima nobene zveze s Si) v Si in kemičnimi spremembami zaradi UV. Res krepka latovščina.

4) da so Si izdelki stabilni 20 let bi mogoče držalo, ampak na žalost je na Si cela vrsta plasti, ki so podvržene degradaciji, od že omenjene elektromigracije do odpovedi tankih oksidov v IV, kjer polja dosegajo red 10 MV/cm. In to sta glavna razloga za odpoved IV, no vsaj 15 let nazaj, ko sem se ukvarjal še z njimi. In dizajn je prirejen tako, da se pač zagotovi zahtevana kvaliteta, recimo do 20 let delovanja... Ampak to nima prav nobene zveze s Si in njegovo difuzijsko stabilnostjo, karkoli to že je. Da pa silicij zdrži 20 let pa res ni nobeno čudo, vzami kos pleha, ga enkapsuliraj, pa bo ravno tako preživel 20 let.

5) Čudno pojmovanje produktivnostnih problemov. Včasih, ko so bili recimo dielektriki nekoliko debelejši, 15-1.000 nm so postopki trajali kar precej časa, oksidacija in difuzija wella tudi skupno okoli 16h. Pa to ni noben problem, v peč gre 50-100 Si rezin. In moram priznat, da mi ni znan noben postopek pri obdelavi Si, ki bi trajal nekaj s. Najkrajši, določena jedkanja so recimo reda 15-20s +25-50%, v krajših časih se tipično niti ne uspostavi ravnovesje.... res govoriš o stvareh, o katerih nimaš pojma. Najnovejši EUV poravnalniki za fotolitografske preslikave, da te malo podražim, moč napajanja EUV izvora okoli 1MW, teža naprave okoli 180 ton, cena ustrezna, ima kapaciteto okoli 6.000 preslikav v 24 urah ali okoli 13s za eno.

Imam občutek, da strašno fino govoriš o določenih stvareh za neuke, tisti ki te stvari vsaj nekoliko poznamo, se pa rahlo hahljamo, pa vsi tvoji patenti gor ali dol....